Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 600 V, 32 A, 0.12 Ω, 29 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK
- RS品番:
- 653-084
- メーカー型番:
- SIHR120N60E-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 653-084
- メーカー型番:
- SIHR120N60E-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 32A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | E | |
| パッケージ型式 | PowerPAK | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.12Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 29nC | |
| 最大許容損失Pd | 278W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 10.42mm | |
| 幅 | 8mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 32A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ E | ||
パッケージ型式 PowerPAK | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.12Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 29nC | ||
最大許容損失Pd 278W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 10.42mm | ||
幅 8mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧600 V、最大連続ドレイン電流32 A - SIHR120N60E-T1-GE3
このパワーMOSFETは、産業システムの表面実装電力変換と制御用に設計された高電圧スイッチングトランジスタです。Nチャンネル強化デバイスとして動作し、過酷な電気環境で堅牢な耐熱性と持続的な電力処理を必要とする用途に適しています。
特長：
• 600 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 32 Aの連続電流により、大きな負荷電流をサポート • 0.12Ω Rds(on)により、定格条件下での導通損失を最小限に抑制 • 278 Wの消費電力により、大幅な熱スループットを実現 • 標準ゲート充電速度: 29 nC、スイッチングトランジション • 最大ジャンクション温度150°Cで高い熱ストレスに耐える
用途
• 高電圧モータ駆動パワーステージに最適 • 産業機器のスイッチモード電源に最適 • 高い消散容量を必要とするAC/DCコンバータに使用 • 電子バラストおよび照明制御回路に使用可能 • オートメーションおよび制御パネルの電源スイッチングに最適
ボードアセンブリには、どのような取り付けスタイルが必要ですか?
8ピンのリードレスPowerPAK表面実装パッケージで提供され、基板アースと熱除去用サーマルバイアスへのはんだ付け取り付け用に設計されています。
どのようなゲートドライブを許容する必要がありますか?
ゲート-ソース許容差は±30 Vで、標準的な29 nCのゲート充電には、目的のスイッチング周波数に対して十分な電流を供給してシンクできるドライバが必要です。
温度範囲は、展開にどのように影響しますか?
このデバイスは、-55 °Cから最大150 °Cまでの動作に対応し、熱管理を実装することで、幅広い環境および高いジャンクションシナリオで使用できます。
過電圧や過度の消散から保護する電気的制限は何ですか?
最大ドレインソース電圧は600 V、定格消費電力は278 W
設計には、適切なクランプとサーマルパスを含めて、過剰使用を防止する必要があります。
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