Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 32 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK

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RS品番:
653-084
メーカー型番:
SIHR120N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

32A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

PowerPAK

シリーズ

E

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.12Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

29nC

最大許容損失Pd

278W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

幅

8 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay第4世代EシリーズパワーMOSFETは、高性能スイッチング用途向けに最適化されています。低メリット数値(FOM)、スイッチング損失と導電損失の削減、低効果静電容量を実現します。コンパクトなPowerPAK 8x8LRにパッケージされているため、サーバー、通信、照明、産業用電源での使用に最適です。

鉛フリー

ハロゲンフリー

RoHS指令に準拠

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