Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 600 V, 38 A, 0.105 Ω, 34 nC, 8ピン, パッケージ:PowerPAK

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RS品番:
653-080
メーカー型番:
SIHR100N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

38A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

PowerPAK

シリーズ

E

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.105Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

34nC

最大許容損失Pd

347W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

長さ

10.42mm

規格 / 承認

RoHS

幅

8mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

VishayシリーズEパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧600 V、最大連続ドレイン電流38 A - SIHR100N60E-T1-GE3


このパワーMOSFETは、産業用電子機器のスイッチングおよび制御作業向けに設計された高電圧Nチャンネル強化デバイスです。電力変換や高電圧スイッチング環境に適した表面実装トランジスタとして動作し、要求の厳しいアセンブリで使用するための電圧処理と熱耐性のバランスを提供します。

特長:


• 600 Vドレインソース定格により、高電圧スイッチング機能を実現 • 38 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート • 0.105Ω Rds(on)により、動作中の導通損失を最小限に抑制 • 347 Wの消費電力により、持続的な熱負荷を実現 • 34 nC標準ゲート充電により、効率的なゲートドライブ制御を実現 • -55°C~150°Cの動作範囲により、極端な温度条件での動作をサポート

用途


• 産業オートメーションの高電圧電源コンバータに最適 • 堅牢なスイッチングを必要とするモータドライブフロントエンドに最適 • スイッチモード電源に使用 高電圧処理 • 電気システムの力率補正段階に使用可能 • 高電圧インバータ設計のゲートドライバと併用

組み立てにはどのような取り付けスタイルが必要ですか?


PowerPAKパッケージで表面実装用に設計されており、標準的なSMTリフロープロファイルと熱放散用の適切な銅計画が必要です。

ゲートドライブ電圧はスイッチングにどのように影響しますか?


このデバイスは、ソースに対して最大30 Vのゲート電圧に耐えることができます。

推奨されるゲート電圧を利用することで、ゲート過電圧を回避しながらターンオン速度を最適化します。

高出力用途には、どのような熱要件が必要ですか?


347 Wの消費電力定格により、パッケージから熱を伝達し、ジャンクション温度を最大限の限界以下に維持するために、十分な基板銅面積とサーマルバイアスが必要です。

このデバイスは自動車設計に適していますか?


自動車グレードとして指定されていないため、適合性はシステムレベルの要件および設計者が必要とする追加資格によって異なります。

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