Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 650 V, 63 A, 0.04 Ω, 8ピン, パッケージ：PowerPAK
- RS品番:
- 851-497
- メーカー型番:
- SIHK031N60AE-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
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- RS品番:
- 851-497
- メーカー型番:
- SIHK031N60AE-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 63A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.04Ω | |
| 最大許容損失Pd | 375W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 1.04mm | |
| 長さ | 6.05mm | |
| 幅 | 5.25mm | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101 Qualified | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 63A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 PowerPAK | ||
シリーズ TrenchFET | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.04Ω | ||
最大許容損失Pd 375W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 1.04mm | ||
長さ 6.05mm | ||
幅 5.25mm | ||
規格 / 承認 AEC-Q101 Qualified | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- KR
VishayパワーMOSFETは、高性能スイッチング用途向けに設計されており、優れた効率と低エネルギー損失で電気負荷を効果的に管理します。
第4世代Eシリーズ技術を採用し、性能を向上
低オン抵抗を実現し、エネルギー損失を低減
高効率静電容量に対応し、信頼性の高い動作を実現
スイッチング損失と伝導損失の両方を大幅に削減
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