Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 63 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK
- RS品番:
- 653-104
- メーカー型番:
- SISS32LDN-T1-BE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 653-104
- メーカー型番:
- SISS32LDN-T1-BE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | シングルMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 63A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK | |
| シリーズ | SISS32LDN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0072Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 17.7nC | |
| 最大許容損失Pd | 65.7W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 幅 | 3.3 mm | |
| 高さ | 0.75mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ シングルMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 63A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 PowerPAK | ||
シリーズ SISS32LDN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0072Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 17.7nC | ||
最大許容損失Pd 65.7W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.3mm | ||
幅 3.3 mm | ||
高さ 0.75mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- TH
Vishay TrenchFET Gen IV NチャンネルパワーMOSFETは、ドレインソース電圧80 Vの定格です。コンパクトなPowerPAK 1212-8Sに組み込まれており、DC/DCコンバータ、同期整流、モータ制御、バッテリ / 負荷スイッチングに最適です。
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS指令に準拠
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