Vishay シングルMOSFET, Nチャンネル, 60 V, 52 A, 0.0072 Ω, 19.8 nC, 8ピン, パッケージ:PowerPAK 1212-8SLW

N
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1個小計:*

¥256.00

(税抜)

¥281.60

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年10月06日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
1 - 24¥256
25 - 99¥170
100 - 499¥97
500 +¥95

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
829-348
メーカー型番:
SISS862ADN-T1-UE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

52A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

SISS

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8SLW

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0072Ω

チャンネルモード

強化モード

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19.8nC

最大許容損失Pd

39W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

150°C

3.3mm

高さ

1.07mm

長さ

3.3mm

規格 / 承認

RoHS Compliant

自動車規格

なし

COO(原産国):
IL
Vishay Advanced NチャンネルMOSFETは、主に高効率スイッチング用途向けに設計されています。低オン抵抗特性で堅牢な性能を発揮します。

最大60 Vの動作電圧により、さまざまな用途で汎用性を発揮

非常に低いオン抵抗により、電力効率を最適化

保証された安全な動作領域により、要求の高い条件下での信頼性を向上

RおよびUISに対して徹底的にテストされており、性能を確保

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。