Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 70 V, 42.3 A, 0.0125 Ω, 12.6 nC, 8ピン, パッケージ:PowerPAK

N
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 個(1個1個入り) 小計:*

¥195.00

(税抜)

¥214.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年10月06日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

トレイ
購入単位毎合計
1 - 24¥195
25 - 99¥130
100 +¥75

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
851-508
メーカー型番:
SISS176LDN-T1-BE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

42.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

70V

パッケージ型式

PowerPAK

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0125Ω

チャンネルモード

N

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12.6nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

12V

最大許容損失Pd

39W

動作温度 Max

175°C

5.25mm

長さ

6.05mm

規格 / 承認

AEC-Q101 Qualified

高さ

1.04mm

自動車規格

AEC-Q101

COO(原産国):
IL
Vishay NチャンネルMOSFETは、高度な電子用途でさまざまな電気的要求をサポートする堅牢な構造を備え、電力管理において高効率を実現します。

TrenchFET Gen IVテクノロジーにより性能を向上

さまざまなゲート電圧で非常に低いR DS(on)により、効率を確保

包括的なテストにより、動作の信頼性を保証

鉛(Pb)フリーおよびハロゲンフリーの構成により、環境基準に適合

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。