Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK, SIS5712DN-T1-GE3
- RS品番:
- 653-112
- メーカー型番:
- SIS5712DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
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- RS品番:
- 653-112
- メーカー型番:
- SIS5712DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | シングルMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 18A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK | |
| シリーズ | SIS5712DN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0555Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 39.1W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.30mm | |
| 規格 / 承認 | Lead (Pb)-Free | |
| 幅 | 3.30 mm | |
| 高さ | 1.04mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ シングルMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 18A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
パッケージ型式 PowerPAK | ||
シリーズ SIS5712DN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0555Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 5.8nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 39.1W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.30mm | ||
規格 / 承認 Lead (Pb)-Free | ||
幅 3.30 mm | ||
高さ 1.04mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay NチャンネルMOSFETは、電力密度の高いシステムでの高効率スイッチング向けに設計されています。最大150 Vのドレインソース電圧をサポートします。PowerPAK 1212-8に組み込まれており、TrenchFET Gen Vテクノロジーを採用し、低RDS(on)、低ゲート充電、優れた熱性能を発揮します。
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS指令に準拠