Vishay シングルMOSFET, デュアルNチャンネル 100 V, 7.1 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK, SIS9122DN-T1-GE3

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RS品番:
653-097
メーカー型番:
SIS9122DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

デュアルN

最大連続ドレイン電流Id

7.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

PowerPAK

シリーズ

SIS9122

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.16Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3.8nC

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

17.8W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

0.8mm

幅

3.3 mm

長さ

3.3mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay自動車グレードのデュアルNチャンネルMOSFETは、コンパクトな電源システムの高効率スイッチング向けに設計されています。最大100 Vのドレインソース電圧をサポートします。PowerPAK 1212-8デュアルに組み込まれており、TrenchFET Gen IVテクノロジーを採用し、電気的及び熱的性能を最適化します。

鉛フリー

ハロゲンフリー

RoHS指令に準拠

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