Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 14.2 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiS110DN-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
178-3962
メーカー型番:
SiS110DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
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ブランド

Vishay Siliconix

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

14.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

PowerPAK 1212

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

70mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

24W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8.5nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.07mm

長さ

3.15mm

幅

3.15 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:
CN
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

最低のRDS - Qoss FOMに合わせて調整済み

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