Vishay Siliconix MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 14.2 A, 70 mΩ, 8.5 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 1212
- RS品番:
- 178-3962
- メーカー型番:
- SiS110DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
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- RS品番:
- 178-3962
- メーカー型番:
- SiS110DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay Siliconix | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 14.2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | SiS110DN | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 1212 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 70mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 24W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 3.15mm | |
| 幅 | 3.15mm | |
| 高さ | 1.07mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay Siliconix | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 14.2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ SiS110DN | ||
パッケージ型式 PowerPAK 1212 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 70mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 24W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8.5nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 3.15mm | ||
幅 3.15mm | ||
高さ 1.07mm | ||
自動車規格 なし | ||
RoHSステータス: 対象外
- COO（原産国）:
- CN
Vishay SiS110DNシリーズMOSFET、100Vドレインソース電圧、14.2A連続ドレイン電流 - SiS110DN-T1-GE3
このMOSFETは、コンパクトな電子アセンブリのスイッチングおよび電源管理用に設計された表面実装Nチャンネルトランジスタです。幅広い環境範囲で動作し、効率的な制御のために電圧処理、電流容量、適度なゲート電荷のバランスを必要とする用途向けに設計されています。
特長：
• 100Vのドレイン許容差により、高電圧スイッチング機能を実現
• 70mΩの低RDS(on)により、導通損失を低減
• 14.2 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート
• 24 Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能
• 8.5 nCの標準ゲート充電により、応答性の高いゲート駆動を実現
• ±20Vゲートソース定格により、堅牢なゲート電圧マージンを実現
• 70mΩの低RDS(on)により、導通損失を低減
• 14.2 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート
• 24 Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能
• 8.5 nCの標準ゲート充電により、応答性の高いゲート駆動を実現
• ±20Vゲートソース定格により、堅牢なゲート電圧マージンを実現
用途
• DC-DCコンバータースイッチング段階に最適
• モータードライブローサイドスイッチングに最適
• 電源の同期整流に使用
• 通信機器におけるロードスイッチに使用可能
• バッテリー管理や電力分配に最適
• モータードライブローサイドスイッチングに最適
• 電源の同期整流に使用
• 通信機器におけるロードスイッチに使用可能
• バッテリー管理や電力分配に最適
信頼性の高い動作を実現するために、どのような温度範囲を期待できますか?
このデバイスは、-55°C～150°Cで動作するように設計されており、温度変動が大きい環境での使用が可能です。
このパッケージは、プリント基板の組立と冷却をどのようにサポートしますか?
コンパクトなPowerPAK1212パッケージで提供され、低プロファイルの表面実装配置と基板への適切な熱伝達を実現します。
ゲート充電を考慮して、ゲートドライブに関する考慮事項はどのようなものがありますか?
標準的な8.5 nCのゲート電荷を備えたゲートドライバは、過度のドライブ損失なしで必要な速度で切り替えるために十分な電流を供給してシンクする必要があります。
このコンポーネントに関する規制制限はありますか?
このコンポーネントは、電子アセンブリにおける制限物質に関するRoHS要件に適合しています。
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