Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 14.2 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiS110DN-T1-GE3
- RS品番:
- 178-3962
- メーカー型番:
- SiS110DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋25個入り) 小計：*
￥2,334.00
(税抜)
￥2,567.50
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2026年10月26日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 25 - 125 | ￥93.36 | ￥2,334 |
| 150 - 1350 | ￥81.56 | ￥2,039 |
| 1375 - 1725 | ￥69.72 | ￥1,743 |
| 1750 - 2225 | ￥57.92 | ￥1,448 |
| 2250 + | ￥46.08 | ￥1,152 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 178-3962
- メーカー型番:
- SiS110DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay Siliconix | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 14.2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | SiS110DN | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 1212 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 70mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 24W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 3.15mm | |
| 長さ | 3.15mm | |
| 高さ | 1.07mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay Siliconix | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 14.2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ SiS110DN | ||
パッケージ型式 PowerPAK 1212 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 70mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8.5nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 24W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 3.15mm | ||
長さ 3.15mm | ||
高さ 1.07mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
RoHSステータス: 対象外
- COO（原産国）:
- CN
Vishay Siliconix SiS110DNシリーズMOSFET、100 Vドレインソース電圧、14.2 A連続ドレイン電流 - SiS110DN-T1-GE3
このNチャンネルMOSFETは、産業システムの電力変換および制御用途向けに設計された表面実装スイッチングトランジスタです。中～高電圧や電流に対応するエンハンスメントモードデバイスとして動作し、コンパクトな表面実装アセンブリで効率的なスイッチングを実現します。
特長：
• 100 Vドレインソース定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 14.2 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート • 70 mΩ Rds(on)により、動作中の導通損失を最小限に抑制 • 8.5 nCのゲート充電により、スイッチングエネルギーとドライブ要件を低減 • 24 Wの消費電力により、狭いレイアウトでの熱負荷を管理 • 150°Cの最大ジャンクション温度により、高い動作条件を実現
用途
• オートメーション機器のDC-DCコンバータスイッチングステージに最適 • 工場システムのモータドライブハーフブリッジ回路に最適 • 産業用制御ユニットの電力管理に使用 • 配電モジュールの負荷スイッチングに使用可能
組み立てにはどのような取り付けスタイルが必要ですか?
はんだ付け基板アセンブリと低プロファイル基板レイアウト向けに設計されたコンパクトなPowerPAK 1212表面実装パッケージで提供されます。
サービスでどのくらいの幅広い温度範囲に耐えられますか?
-55°Cの周囲温度から最大150°Cのジャンクション温度まで動作可能で、熱変動が大きい環境での使用が可能です。
設計者はどのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?
このデバイスは、最大20 Vのゲートソース電圧を実現
ゲートドライブがこの制限内にあることを確認して、ゲート酸化を保護する必要があります。
このパッケージには、回路統合用のピン数がありますか?
このパッケージには、ドレイン、ソース、ゲート接続に対応する8つのピンが含まれており、基板上の熱および電気的ルーティングをサポートします。
この部品は自動車用途向けに指定されていますか?
自動車規格に指定されておらず、自動車グレードの認定が必須である場合は選択しないでください。
関連ページ
- Vishay MOSFET 12 A 8-Pin, SIS412DN-T1-GE3 パッケージPowerPAK 1212-8
- Vishay Siliconix MOSFET 14.2 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 1212
- Vishay MOSFET 40 A 8-Pin, SIS476DN-T1-GE3 パッケージPowerPAK 1212-8
- Vishay MOSFET 18 A 8-Pin, SIS413DN-T1-GE3 パッケージPowerPAK 1212-8
- Vishay MOSFET 35 A 8-Pin, SIS443DN-T1-GE3 パッケージPowerPAK 1212-8
- Vishay MOSFET 30 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SIS468DN-T1-GE3
- Vishay MOSFET 45.1 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SIS126DN-T1-GE3
- Vishay Siliconix MOSFET 60 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiSS12DN-T1-GE3