型番

2 Vishay MOSFET デュアル, タイプP, タイプNチャンネル, 4 A, 表面 100 V, 8-Pin エンハンスメント型, SiS590DN-T1-GE3 パッケージPowerPAK 1212-8 Dual

RS品番:: 228-2925
メーカー型番:: SiS590DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

2 Vishay MOSFET デュアル, タイプP, タイプNチャンネル, 4 A, 表面 100 V, 8-Pin エンハンスメント型, SiS590DN-T1-GE3 パッケージPowerPAK 1212-8 Dual

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RS品番:: 228-2925
メーカー型番:: SiS590DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP, タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	シリーズ	TrenchFET
	パッケージ型式	PowerPAK 1212-8 Dual
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.251Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	4.5nC
	最大許容損失Pd	23.1W
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	150°C
	トランジスタ構成	デュアル
	規格 / 承認	RoHS
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプP, タイプN
	最大連続ドレイン電流Id 4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	シリーズ TrenchFET
	パッケージ型式 PowerPAK 1212-8 Dual
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.251Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4.5nC
	最大許容損失Pd 23.1W
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 150°C
	トランジスタ構成デュアル
	規格 / 承認 RoHS
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

Vishay Combo N / P チャンネル -100 V MOSFET です。

100 % Rg及びUISテスト済み

2 Vishay MOSFET デュアル, タイプP, タイプNチャンネル, 4 A, 表面 100 V, 8-Pin エンハンスメント型, SiS590DN-T1-GE3 パッケージPowerPAK 1212-8 Dual

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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