Vishay シングルMOSFET, タイプPチャンネル -100 V, -16 A エンハンスメント型, PCBマウント, 8-Pin パッケージPowerPAK

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RS品番:
653-189
メーカー型番:
SQS201CENW-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

-16A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-100V

シリーズ

SQS201CENW

パッケージ型式

PowerPAK

取付タイプ

PCBマウント

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0800Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

-1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

62.5W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

26nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

高さ

0.41mm

3.30mm

長さ

3.30mm

自動車規格

AEC-Q101

COO(原産国):
CN

Vishay SQS201CENWシリーズシングルMOSFET、最大ドレインソース電圧: -100 V、最大連続ドレイン電流: -16 A - SQS201CENW-T1_GE3


このシングルMOSFETは、電子システムの電源スイッチング機能、特に車載グレードの堅牢性が必要な場合に向けたPチャンネル強化デバイスです。PowerPAKパッケージで基板実装用に設計されており、要求の厳しい産業および車両制御環境に適した電流処理と電圧能力のバランスを提供します。

特長:


• 回路内のハイサイドスイッチングを可能にするPチャンネルデバイス • 100 Vドレインソース間定格により、大きな電圧マージンを実現 • -16 Aの連続ドレイン電流により、大幅な負荷能力を実現 • 0.08Ω Rds(on)により、負荷下での導通損失を最小限に抑制 • 26 nC標準ゲート充電により、適度なスイッチング速度をサポート • 62.5 Wの消費電力により、大きな熱ストレスに対応

用途


• 自動車モジュールのハイサイド電源スイッチングに最適 • モータドライブ保護および制御回路に最適 • バッテリ管理および配電システムに使用 • 産業オートメーションのロジックレベルのパワーステージに使用可能

設計中にどのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?


デバイスのストレスを防止するため、ゲート-ソース間のエキストリングは20 Vを超えないでください。

このデバイスは、極端な温度で実際にどのように動作しますか?


-55°C~175°Cまで動作するように設定されており、定格制限を超えずに過酷な熱環境でも使用できます。

基板レイアウトと冷却に影響するパッケージの考慮事項はどのようなものがありますか?


PowerPAK 8ピンフットプリントは、熱伝導経路に影響を与え、62.5 Wの電力処理容量を利用するためには、十分なPCB銅を必要とします。

自動車用途に影響を与える特定の規格はありますか?


AEC‐Q101自動車規格に適合しており、この規格に準拠した車両電子用途に適しています。

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