Vishay シングルMOSFET, タイプPチャンネル -40 V, -48.3 A エンハンスメント型, PCBマウント, 8-Pin パッケージPowerPAK, SIR4411DP-T1-GE3
- RS品番:
- 653-192
- メーカー型番:
- SIR4411DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 653-192
- メーカー型番:
- SIR4411DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | シングルMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -48.3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -40V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK | |
| シリーズ | SIR4411DP | |
| 取付タイプ | PCBマウント | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.011Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±20 V | |
| 最大許容損失Pd | 56.8W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 36.5nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 0.61mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 5.15mm | |
| 幅 | 6.25 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ シングルMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id -48.3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -40V | ||
パッケージ型式 PowerPAK | ||
シリーズ SIR4411DP | ||
取付タイプ PCBマウント | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.011Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V | ||
最大許容損失Pd 56.8W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 36.5nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 0.61mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 5.15mm | ||
幅 6.25 mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
Vishay TrenchFET Gen IV PチャンネルパワーMOSFETは、定格ドレインソース電圧40 Vです。低RDS(on)と高速スイッチング性能を備えているため、高効率の電源管理に適しています。コンパクトなPowerPAK SO-8にパッケージされているため、スペースが限られた設計でのDC/DCコンバータ、負荷スイッチング、バッテリ管理に最適です。
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS指令に準拠
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