Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 25.7 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK, SIR4156LDP-T1-GE3

N

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RS品番:
653-190
メーカー型番:
SIR4156LDP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

25.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

SIR4156LDP

パッケージ型式

PowerPAK

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.033Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8.8nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

43W

動作温度 Max

150°C

5.15 mm

長さ

6.15mm

高さ

1.72mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN
Vishay NチャンネルMOSFETは、コンパクトな電源システムの高効率スイッチング向けに設計されています。最大100 Vのドレインソース電圧をサポートします。PowerPAK SO-8でパッケージ化されたTrenchFET Gen IVテクノロジーを採用し、低RDS(on)、高速スイッチング、及び最適化された熱性能を実現します。

鉛フリー

ハロゲンフリー

RoHS指令に準拠

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