Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 78 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK
- RS品番:
- 653-108
- メーカー型番:
- SIR4406DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 653-108
- メーカー型番:
- SIR4406DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | シングルMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 78A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | SIR4406DP | |
| パッケージ型式 | PowerPAK | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.00475Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 41.6W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 10.9nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.04mm | |
| 長さ | 6.15mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ シングルMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 78A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ SIR4406DP | ||
パッケージ型式 PowerPAK | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.00475Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 41.6W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10.9nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.04mm | ||
長さ 6.15mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
Vishay NチャンネルMOSFETは、コンパクトな電源システムの高効率スイッチング向けに設計されています。最大40 Vのドレインソース電圧をサポートします。PowerPAK SO-8でパッケージ化されたTrenchFET Gen IVテクノロジーを採用し、低ゲート充電(Qg)、最適化されたスイッチング特性、優れた熱性能を発揮します。
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS指令に準拠
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