Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 90.9 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK, SIR5607DP-T1-UE3

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RS品番:
653-195
メーカー型番:
SIR5607DP-T1-UE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

90.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

SIR5607DP

パッケージ型式

PowerPAK

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.007Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

31.7nC

最大許容損失Pd

104W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

6.25mm

規格 / 承認

No

幅

5.26 mm

高さ

1.12mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay PチャンネルMOSFETは、コンパクトな電源システムでの効率的なスイッチング向けに設計されています。最大60 Vのドレインソース電圧をサポートし、PowerPAK SO-8パッケージに収容されています。TrenchFET Gen Vテクノロジーを使用して構築されており、非常に低いRDS(on)を実現し、電圧降下と導電損失を最小限に抑えます。

鉛フリー

ハロゲンフリー

RoHS準拠

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