Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 40 V, 126 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SIR5406DP-T1-UE3

N

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RS品番:
735-274
メーカー型番:
SIR5406DP-T1-UE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

126A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0033Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

44nC

最大許容損失Pd

71.4W

動作温度 Max

150°C

高さ

1.12mm

規格 / 承認

RoHS Compliant

長さ

6.25mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
IL
Vishay NチャンネルMOSFETは、要求の厳しい電子システムでの高効率電力変換と制御用に設計されています。環境基準に準拠しながら、包括的なテストによる堅牢な性能を保証します。その汎用性により、信頼性の高い整流、コンパクトなDC/DCソリューション、精密なモータドライブ制御を必要とする用途に最適です。

100 % RgおよびUISテストを実現し、実証済みの信頼性を実現

環境安全のためのRoHS準拠を保証

ハロゲンフリー構造により、環境に配慮した設計を実現

同期整流に対応し、効率的な電力変換を実現

信頼性の高いスイッチング性能でモーター駆動制御を実現

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