Vishay MOSFET, Pチャンネル -20 V, -136.7 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SIR5207DP-T1-UE3

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RS品番:
735-202
メーカー型番:
SIR5207DP-T1-UE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

Pチャンネル

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

-136.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-20V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0042Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

139nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±12 V

最大許容損失Pd

65.7W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS Compliant

長さ

6.25mm

高さ

1.12mm

幅

5.26 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

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