型番

Vishay MOSFET, Pチャンネル -20 V, -153.2 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SIR5205DP-T1-UE3

RS品番:: 735-235
メーカー型番:: SIR5205DP-T1-UE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, Pチャンネル -20 V, -153.2 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SIR5205DP-T1-UE3

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RS品番:: 735-235
メーカー型番:: SIR5205DP-T1-UE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	Pチャンネル
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	-153.2A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	-20V
	パッケージ型式	PowerPAK SO-8
	シリーズ	TrenchFET
	取付タイプ	表面実装
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.0037Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	±12 V
	最大許容損失Pd	71.4W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	160nC
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS Compliant
	幅	5.15 mm
	長さ	6.15mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプ Pチャンネル
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id -153.2A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds -20V
	パッケージ型式 PowerPAK SO-8
	シリーズ TrenchFET
	取付タイプ表面実装
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0037Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs ±12 V
	最大許容損失Pd 71.4W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 160nC
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS Compliant
	幅 5.15 mm
	長さ 6.15mm
	自動車規格なし

Datasheet - SIR5205DP-T1-UE3

COO（原産国）:: IL

Vishay MOSFET, Pチャンネル -20 V, -153.2 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SIR5205DP-T1-UE3

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