STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 900 V, 110 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージH2PAK-7, SCT012H90G3AG

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RS品番:
215-220
メーカー型番:
SCT012H90G3AG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

110A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

900V

シリーズ

SCT

パッケージ型式

H2PAK-7

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

12mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

625W

順方向電圧 Vf

2.8V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

138nC

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

動作温度 Max

175°C

長さ

15.25mm

高さ

4.8mm

幅

10.4 mm

規格 / 承認

RoHS, AEC-Q101

自動車規格

AEC-Q101

STMicroelectronicsシリコンカーバイドパワーMOSFETデバイスは、STの先進的で革新的な第3世代SiC MOSFET技術を使用して開発されています。このデバイスは、温度範囲全体で非常に低いRDS(オン)と低静電容量と非常に高いスイッチング動作を備え、周波数、エネルギー効率、システムサイズおよび重量の削減においてアプリケーションの性能を向上させます。

高速スイッチング性能

非常に高速で堅牢なボディダイオード

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