ローム シングルMOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 80 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252 （TL）, AG191FLD3HRBTL

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梱包形態
RS品番:
687-454
メーカー型番:
AG191FLD3HRBTL
メーカー/ブランド名:
ローム
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ブランド

ローム

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

80A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-252 （TL）

シリーズ

AG191FLD3HRB

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22nC

最大許容損失Pd

76W

動作温度 Max

175°C

高さ

2.3mm

規格 / 承認

RoHS, AEC-Q101

長さ

10.50mm

幅

6.80 mm

自動車規格

AEC-Q101

ロームのパワーMOSFETは、高性能用途向けに設計されており、最大ドレインソース電圧60V、連続ドレイン電流80Aで卓越した効率を発揮します。要求の厳しい自動車システム用に設計されたこのデバイスは、低オン抵抗を特徴としており、電力損失を低減し、熱管理を強化します。堅牢な構造にはAEC-Q101認定が含まれており、厳しい自動車環境での使用に適しています。多次元熱抵抗機能を備えたこの MOSFET は、熱ストレスに効果的に対応し、さまざまな動作条件下での信頼性を保証します。高効率用途で信頼性の高いコンポーネントを求めるエンジニアに最適なAG191FLD3HRBは、その性能と動作の完全性で際立っています。

低オン抵抗により効率が向上し、発熱を低減

鉛フリーメッキにより、環境安全のためのRoHS基準に準拠

100%アバランシェテストにより、ストレス下でも信頼性の高い性能を保証

AEC Q101認定により、自動車業界の規格への準拠を保証

幅広い動作ジャンクション及び保管温度範囲: -55 → 175 °C

組み立てに便利なテープおよびリール形式の柔軟なパッケージ仕様

統合された熱抵抗により、動作中の熱問題を最小限に抑制

最適なスイッチング性能を実現する正確なゲート充電特性付き

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