ローム シングルMOSFET, タイプPチャンネル -40 V エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252 （TL）, AG501EGD3HRBTL

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梱包形態
RS品番:
687-359
メーカー型番:
AG501EGD3HRBTL
メーカー/ブランド名:
ローム
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ブランド

ローム

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-40V

シリーズ

AG501EGD3HRB

パッケージ型式

TO-252 （TL）

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

5 V

最大許容損失Pd

142W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

145nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

AEC-Q101, RoHS

幅

6.80 mm

高さ

2.3mm

長さ

10.50mm

自動車規格

AEC-Q101

ロームのPチャンネルパワーMOSFETは、自動車システムや様々な用途における効率的なエネルギー管理のために設計されています。-40Vの最大ドレインソース電圧と最大-80Aの連続ドレイン電流能力を備えたこの堅牢な装置は、厳しい動作条件下で優れた信頼性を発揮します。わずか4.9mΩの低オン抵抗により、エネルギー損失を最小限に抑え、システム全体の効率と熱性能の向上に貢献します。また、この MOSFET は AEC-Q101 認定を受けており、厳しい規格を満たす必要がある車載用途に適しています。

低オン抵抗で電力損失を低減し、効率を向上

AEC Q101 認定で、自動車および重要な用途の信頼性を保証

アバランシェ試験により、動的条件下での性能を保証

最大消費電力142Wをサポートし、高性能設計に対応

幅広い動作温度範囲:-55°C～175°C、多様な環境で使用可能

鉛フリーメッキとRoHSに準拠し、現代の環境基準を満たしています。

自動組み立てのための組み込みオプションを含む、最適化されたパッケージ仕様

アバランシェエネルギー定格を保証し、過渡時の堅牢な動作を保証

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