ローム シングルMOSFET, タイプPチャンネル -30 V エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252 （TL）, AG502EED3HRBTL

N
MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 個(1個2個入り) 小計：*

￥366.00

(税抜)

￥402.60

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 100 は 2026年2月09日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 18￥183.00￥366
20 - 48￥161.50￥323
50 - 198￥144.00￥288
200 - 998￥117.50￥235
1000 +￥114.00￥228

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
687-467
メーカー型番:
AG502EED3HRBTL
メーカー/ブランド名:
ローム
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

ローム

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-30V

パッケージ型式

TO-252 （TL）

シリーズ

AG502EED3HRB

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

5 V

最大許容損失Pd

77W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

52nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

幅

6.80 mm

高さ

2.3mm

規格 / 承認

AEC-Q101, RoHS

長さ

10.50mm

自動車規格

AEC-Q101

ロームのパワーMOSFETは、自動車システムにおける効率的で信頼性の高いエネルギー管理用に設計されています。最大-30Vのドレインソース電圧と最大78Aの連続ドレイン電流能力を備えたこのデバイスは、堅牢な電力処理を必要とする要求の厳しい用途に最適です。8.5mΩの低オン抵抗により、電力損失を最小限に抑え、熱効率の向上に貢献します。さらに、この MOSFET は AEC-Q101 規格に準拠しており、耐久性と性能に関する厳しい車載用要件を満たしています。AG502EED3HRBは、優れたアバランシェ特性と広い動作温度範囲により、さまざまな条件下で安定した性能を発揮します。

自動車用途向けのAEC Q101認定を取得した頑丈な構造

8.5 mΩの低オン抵抗により、エネルギー効率を最適化

最大78 Aの連続ドレイン電流により、要求の厳しい負荷を処理可能

信頼性の高い性能を実現する幅広い動作温度範囲: -55 → 175 °C

1.94°C/Wの熱抵抗により、放熱能力が向上

100% アバランシェ試験済みで、過渡条件下でも高い信頼性を保証

鉛フリーメッキとRoHS規格に準拠した環境に優しい設計

関連ページ