ローム シングルMOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 80 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252 （TL）, AG086FGD3HRBTL

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梱包形態
RS品番:
687-456
メーカー型番:
AG086FGD3HRBTL
メーカー/ブランド名:
ローム
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ブランド

ローム

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

80A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-252 （TL）

シリーズ

AG086FGD3HRB

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

76W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

28nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Max

175°C

長さ

10.50mm

高さ

2.3mm

幅

6.80 mm

規格 / 承認

RoHS, AEC-Q101

自動車規格

AEC-Q101

ロームのパワーMOSFETは、高性能用途向けに設計されており、信頼性と効率を保証する堅牢な構造を特徴としています。最大ドレインソース電圧40V、最大80Aの連続電流に対応するこのデバイスは、自動車システムやその他の過酷な環境に最適なソリューションです。わずか4.1mΩの低オン抵抗により、動作中の電力損失を最小限に抑え、電源管理作業に特に有用です。AEC-Q101 準拠のこの MOSFET は、厳しい自動車規格に適合しており、要求の厳しい用途でも安定した品質を保証します。この製品は効率的な放熱をサポートし、広い動作温度範囲を維持しながら、最大消費電力76Wを実現します。

4.1mΩの低オン抵抗により、エネルギー効率を向上

AEC Q101 認定により、車載グレードの信頼性を保証

最大連続ドレイン電流80 Aで高負荷用途に対応

パルスドレイン電流能力は160 Aに達し、過渡負荷に対応

±20 Vのゲートソース電圧をサポートし、柔軟な制御を実現

操作の安全性を高めるアバランシェ定格

熱抵抗仕様により、効率的な熱管理を実現

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