STMicroelectronics トランジスタ, Pチャンネル, 700 V, 26 A, 70 mΩ, 8.5 nC, 13ピン, パッケージ：TO-LL
- RS品番:
- 719-630
- メーカー型番:
- SGT070R70HTO
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 719-630
- メーカー型番:
- SGT070R70HTO
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | Pチャンネル | |
| プロダクトタイプ | トランジスタ | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 26A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 700V | |
| パッケージ型式 | TO-LL | |
| シリーズ | G-HEMT | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 13 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 70mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -6, 7V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 231W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 2.4mm | |
| 長さ | 10.58mm | |
| 幅 | 10.4mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ Pチャンネル | ||
プロダクトタイプ トランジスタ | ||
最大連続ドレイン電流Id 26A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 700V | ||
パッケージ型式 TO-LL | ||
シリーズ G-HEMT | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 13 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 70mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -6, 7V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 231W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8.5nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 2.4mm | ||
長さ 10.58mm | ||
幅 10.4mm | ||
- COO（原産国）:
- CN
STMicroelectronics 700 V 26 A e-mode PowerGaNトランジスタは、確立されたパッケージング技術と組み合わせられています。その結果、G-HEMTデバイスは、極めて低い伝導損失、大電流能力、高速スイッチング動作を実現し、高電力密度と比類のない効率性能を可能にします。
改良モードは通常オフトランジスタ
非常に速いスイッチング速度
高電力管理機能
非常に低い静電容量
最適なゲートドライブのためのKelvinソースパッド
ゼロリバース回復充電
ESD保護
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