STMicroelectronics トランジスタ, Pチャンネル 700 V, 29 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージPowerFLAT, SGT080R70ILB

N

この画像は商品カテゴリーのイメージです。

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1個小計：*

￥599.00

(税抜)

￥658.90

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月06日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1 - 9￥599
10 - 24￥527
25 - 99￥474
100 - 499￥385
500 +￥375

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
719-632
メーカー型番:
SGT080R70ILB
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

トランジスタ

チャンネルタイプ

Pチャンネル

最大連続ドレイン電流Id

29A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

700V

パッケージ型式

PowerFLAT

シリーズ

G-HEMT

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

80mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.2nC

最大許容損失Pd

188W

動作温度 Max

150°C

長さ

8.1mm

高さ

0.9mm

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronics 700 V 29 A e-mode PowerGaNトランジスタは、確立されたパッケージング技術と組み合わせられています。その結果、G-HEMTデバイスは、極めて低い伝導損失、大電流能力、高速スイッチング動作を実現し、高電力密度と比類のない効率性能を可能にします。

改良モードは通常オフトランジスタ

非常に速いスイッチング速度

高電力管理機能

非常に低い静電容量

最適なゲートドライブのためのKelvinソースパッド

ゼロリバース回復充電

ESD保護

関連ページ