STMicroelectronics パワーMOSFET, Pチャンネル 700 V, 6 A エンハンスメント型, 表面実装, 2-Pin パッケージTO-252, SGT350R70GTK

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RS品番:
719-637
メーカー型番:
SGT350R70GTK
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

Pチャンネル

最大連続ドレイン電流Id

6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

700V

シリーズ

G-HEMT

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面実装

ピン数

2

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

350mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

47W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

1.5nC

最大ゲートソース電圧Vgs

-1.4 to 7 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

幅

6.7 mm

長さ

6.2mm

高さ

2.4mm

COO（原産国）:
CN

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