Vishay Nチャンネル MOSFET850 V 5 A 表面実装 パッケージTO-263 3 ピン
- RS品番:
- 268-8295
- メーカー型番:
- SIHB6N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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単価： 購入単位は5個
￥326.80
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￥359.48
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | ￥326.80 | ￥1,634.00 |
| 10 + | ￥317.40 | ￥1,587.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 268-8295
- メーカー型番:
- SIHB6N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
Vishay EシリーズパワーMOSFETは、スイッチング損失と導電損失が低く、スイッチングモード電源、サーバー電源、力率補正電源などの用途に使用されます。ESD保護用のツェナーダイオードを内蔵しています。
低有効静電容量
アバランシェ定格エネルギー
メリットの数字が低い
アバランシェ定格エネルギー
メリットの数字が低い
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 5 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 850 V |
| パッケージタイプ | TO-263 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 4 |
| トランジスタ素材 | シリコン |
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