Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 80 V, 146 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SiR580DP
- RS品番:
- 735-135
- メーカー型番:
- SiR580DP
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
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- RS品番:
- 735-135
- メーカー型番:
- SiR580DP
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N チャネル | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 146A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK SO-8 | |
| シリーズ | SiR | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0027Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 50.6nC | |
| 最大許容損失Pd | 104W | |
| 順方向電圧 Vf | 80V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 2mm | |
| 長さ | 7mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 6mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N チャネル | ||
最大連続ドレイン電流Id 146A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 PowerPAK SO-8 | ||
シリーズ SiR | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0027Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 50.6nC | ||
最大許容損失Pd 104W | ||
順方向電圧 Vf 80V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 2mm | ||
長さ 7mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 6mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay NチャンネルパワーMOSFETは、ドレインソース電圧80 V定格で、AIパワーサーバーおよびDC/DCコンバータ用途での高効率スイッチングに最適です。10 Vのゲートドライブで最大2.7 mΩの超低オン抵抗を実現し、高負荷時の伝導損失を最小限に抑えます。
連続ドレイン電流: 146 A @ TC = 25 °C
最大総ゲート電荷: 76 nC
動作ジャンクション温度:-55°C～+150°C
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