Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 60 V, 100 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SiR626DP

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RS品番:
735-140
メーカー型番:
SiR626DP
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

SiR

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0017Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

60V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

68nC

最大許容損失Pd

104W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

150°C

高さ

2mm

幅

6mm

長さ

7mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay NチャンネルMOSFETは、ドレインソース電圧60 V定格で、AIパワーサーバーDC/DCコンバータおよび同期整流回路での高効率スイッチング向けに最適化されています。10 Vゲートドライブで最大1.7 mΩの非常に低いオン抵抗を実現し、高電流用途での伝導損失を最小限に抑制

52 nCの標準ゲート総充電で高速スイッチングを実現

低RDS(on) x Qgメリット数値

最大15°C/Wのジャンクション間熱抵抗

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