Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 100 V, 126 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SiR510DP

N

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RS品番:
735-164
メーカー型番:
SiR510DP
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N チャネル

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

126A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

SiR

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0036Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

100V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

54nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

最大許容損失Pd

104W

動作温度 Max

150°C

長さ

7mm

高さ

2mm

幅

6mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay NチャンネルMOSFETは、ドレインソース電圧60 V定格で、AIパワーサーバーDC/DCコンバータおよび同期整流回路での高効率スイッチング向けに最適化されています。10 Vゲートドライブで最大1.7 mΩの非常に低いオン抵抗を実現し、高電流用途での伝導損失を最小限に抑制

連続ドレイン電流: 94 A @ TA = 25 °C

54.3 nCの標準的な総ゲート電荷量で高速スイッチングを実現

-55°C～+175°Cのジャンクション温度範囲を拡張

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