Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 600 V, 40 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SiHK055N60EF

N

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RS品番:
735-158
メーカー型番:
SiHK055N60EF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N チャネル

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

SiH

パッケージ型式

PowerPAK 10 x 12

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.05Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

236W

順方向電圧 Vf

600V

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

60nC

動作温度 Max

150°C

幅

10mm

高さ

2mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

13mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
IL
Vishay NチャンネルMOSFETは、ドレインソース電圧60 V定格で、AIパワーサーバーDC/DCコンバータおよび同期整流回路での高効率スイッチング向けに最適化されています。10 Vゲートドライブで最大1.7 mΩの非常に低いオン抵抗を実現し、高電流用途での伝導損失を最小限に抑制

連続ドレイン電流: 94 A @ TA = 25 °C

54.3 nCの標準的な総ゲート電荷量で高速スイッチングを実現

ジャンクション温度範囲:-55°C～+175°C

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