Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK155N60EF-T1GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ

1 リール(1リール2000個入り) 小計：*

￥957,016.00

(税抜)

￥1,052,718.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,000 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2000 +￥478.508￥957,016

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
279-9917
メーカー型番:
SIHK155N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

PowerPAK 10 x 12

シリーズ

SIHK

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.159Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

156W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

38nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

9.9mm

自動車規格

なし

Vishay MOSFETは、ファストボディダイオードを備えたEシリーズパワーMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

第4世代Eシリーズ技術

低メリット数値(FOM)ロン x Qg

低効果静電容量

アバランシェエネルギー定格

スイッチング及び伝導損失の削減

関連ページ