Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 16 A, 0.193 Ω, 32 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12

RS品番:: 268-8316
メーカー型番:: SIHK185N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 16 A, 0.193 Ω, 32 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12

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RS品番:: 268-8316
メーカー型番:: SIHK185N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	N
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	16A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	パッケージ型式	PowerPAK 10 x 12
	シリーズ	SIHK
	取付タイプ	PCBマウント
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.193Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	32nC
	最大許容損失Pd	114W
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs	30V
	動作温度 Max	150°C
	長さ	9.9mm
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプ N
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 16A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	パッケージ型式 PowerPAK 10 x 12
	シリーズ SIHK
	取付タイプ PCBマウント
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.193Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 32nC
	最大許容損失Pd 114W
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs 30V
	動作温度 Max 150°C
	長さ 9.9mm
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

Vishay SIHKシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧650V、最大連続ドレイン電流16A - SIHK185N60EF-T1GE3

このMOSFETは、基板実装アセンブリの電源スイッチング用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、RoHS規格に準拠しているため、高い電圧処理と耐熱性を必要とする産業用電子システムに適しています。

特長：

• 650 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング機能を実現
• 16Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート
• 114Wの消費電力により、持続的な電力処理を実現
• 0.193Ω Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減
• 32nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング性能を実現
• 最大ゲート-ソース電圧30Vにより、堅牢なゲート許容差を実現

用途

• 高電圧設計のスイッチング電源に最適
• 産業用モータードライブおよびインバーターステージに最適
• 高電圧に対応する再生可能エネルギーコンバータと併用
• 基板上の力率補正回路に使用可能
• アセンブリ内の一般的な高出力トランジスタ交換に最適

過酷な環境では、どのような温度範囲に耐えられますか?

-55°C～150°Cで動作するように設計されており、低温保管と高温の両方の動作条件に対応します。

プリント基板を統合するには、どのような取り付けスタイルが必要ですか?

このデバイスは、プリント基板実装用のPowerPAK 10x12パッケージで提供され、低インダクタンス接続とコンパクトなレイアウトを実現します。

接続および接地方式にはどのくらいのピンがありますか?

8ピン構成を採用し、ゲート、ドレイン、ソース接続を分離し、柔軟な基板配線を実現します。

自動車専用規格に適していますか?

自動車規格に準拠していないため、使用前に車両特有の要件に対して評価する必要があります。