Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 21 A, 0.125 Ω, 45 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12

RS品番:: 268-8312
メーカー型番:: SIHK125N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 21 A, 0.125 Ω, 45 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12

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RS品番:: 268-8312
メーカー型番:: SIHK125N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	N
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	21A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	シリーズ	SIHK
	パッケージ型式	PowerPAK 10 x 12
	取付タイプ	PCBマウント
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.125Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	45nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	132W
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs	30V
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS
	長さ	9.9mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプ N
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 21A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	シリーズ SIHK
	パッケージ型式 PowerPAK 10 x 12
	取付タイプ PCBマウント
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.125Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 45nC
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 132W
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs 30V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS
	長さ 9.9mm
	自動車規格なし

Datasheet - SIHK125N60EF-T1GE3

COO（原産国）:: CN

Vishay SIHKシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧650 V、最大連続ドレイン電流21 A - SIHK125N60EF-T1GE3

このMOSFETは、プリント基板の電力変換と制御用に設計された高電圧Nチャンネルスイッチングトランジスタです。幅広い熱範囲で動作し、基板実装PowerPAKパッケージで堅牢な電圧処理と適度な電流容量を必要とする用途向けに設計されています。

特長：

• 高電圧スイッチング用の650 Vドレイン容量
• 21Aの連続ドレイン電流により、安定した電力供給を実現
• 0.125 Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 132 Wの熱ヘッドルーム消費電力
• 標準ゲート電荷 45nC により、予測可能なスイッチングエネルギーを確保
• 30Vゲートソース定格により、柔軟なゲート駆動レベルを実現

用途

• 産業機器のスイッチモード電源に最適
• 高電圧モータードライブフロントエンドに最適
• 電源コンバータの絶縁ゲートドライバーと併用
• 力率補正段階に使用可能
• 再生可能エネルギーシステムのインバータ回路に最適

プリント基板組立および熱管理にはどのようなパッケージが用意されていますか?

このコンポーネントは、基板への熱伝達をサポートし、はんだベースの熱経路を容易にするために基板実装用に設計されたPowerPAK 10x12表面実装パッケージで提供されます。

このデバイスは、動作中にどのような極端な熱に耐えることができますか?

-55°C～150°Cで動作するように設計されており、温度変化が大きい環境での使用が可能です。

このデバイスは、ゲート駆動スイッチとしてどのように動作しますか?

強化モードNチャンネルMOSFETで、最大30 Vの限界までの正のゲートソース電圧を必要とし、標準的な45 nCのゲート電荷はスイッチングエネルギーの計算に役立ちます。

環境又は規制に関する特性は記載されていますか?

このデバイスは、制限物質に関するRoHS要件に適合し、標準的な電子部品環境指令に適合しています。