Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 20 V, 2.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2302HDS-T1-GE3

N
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RS品番:
735-213
メーカー型番:
SI2302HDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N チャネル

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

2.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.075Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

8V

最大許容損失Pd

0.71W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3.5nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS Compliant

自動車規格

なし

COO(原産国):
US

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