Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 2.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2302DDS-T1-GE3
- RS品番:
- 152-6358
- メーカー型番:
- SI2302DDS-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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| 1375 - 1725 | ￥40.92 | ￥1,023 |
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- RS品番:
- 152-6358
- メーカー型番:
- SI2302DDS-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.9A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.075Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 0.86W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.02mm | |
| 長さ | 3.04mm | |
| 規格 / 承認 | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.9A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.075Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 0.86W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3.5nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.02mm | ||
長さ 3.04mm | ||
規格 / 承認 IEC 61249-2-21, RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
ハロゲンフリー
TrenchFET®パワーMOSFET
100 %耐久性テスト済み
用途
ポータブルデバイス用負荷スイッチング
DC/DCコンバータ
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