Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 2.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2302DDS-T1-GE3

RS品番:: 152-6358
メーカー型番:: SI2302DDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 2.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2302DDS-T1-GE3

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	2.9A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	20V
	シリーズ	TrenchFET
	パッケージ型式	SOT-23
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.075Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	0.86W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	3.5nC
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs	±8 V
	動作温度 Max	150°C
	高さ	1.02mm
	幅	1.4 mm
	長さ	3.04mm
	規格 / 承認	IEC 61249-2-21, RoHS
	自動車規格	なし

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	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 2.9A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	シリーズ TrenchFET
	パッケージ型式 SOT-23
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.075Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 0.86W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3.5nC
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs ±8 V
	動作温度 Max 150°C
	高さ 1.02mm
	幅 1.4 mm
	長さ 3.04mm
	規格 / 承認 IEC 61249-2-21, RoHS
	自動車規格なし

Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 2.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2302DDS-T1-GE3

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