型番

Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 2.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2302DDS-T1-GE3

RS品番:: 152-6358
メーカー型番:: SI2302DDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 2.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2302DDS-T1-GE3

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個	単価	購入単位毎合計*
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150 - 1350	￥52.44	￥1,311
1375 - 1725	￥45.00	￥1,125
1750 - 2225	￥37.52	￥938
2250 +	￥30.04	￥751

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RS品番:: 152-6358
メーカー型番:: SI2302DDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	2.9A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	20V
	パッケージ型式	SOT-23
	シリーズ	TrenchFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.075Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	3.5nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	±8 V
	最大許容損失Pd	0.86W
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	IEC 61249-2-21, RoHS
	幅	1.4 mm
	長さ	3.04mm
	高さ	1.02mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 2.9A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	パッケージ型式 SOT-23
	シリーズ TrenchFET
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.075Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3.5nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs ±8 V
	最大許容損失Pd 0.86W
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 IEC 61249-2-21, RoHS
	幅 1.4 mm
	長さ 3.04mm
	高さ 1.02mm
	自動車規格なし

ハロゲンフリー

TrenchFET®パワーMOSFET

100 %耐久性テスト済み

用途

ポータブルデバイス用負荷スイッチング

DC/DCコンバータ

Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 2.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2302DDS-T1-GE3

3,000円を超える注文については、送料無料

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