Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 2.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

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RS品番:
146-4437
メーカー型番:
SI2302DDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

2.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.075Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

±8 V

最大許容損失Pd

0.86W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3.5nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

長さ

3.04mm

幅

1.4 mm

規格 / 承認

IEC 61249-2-21, RoHS

高さ

1.02mm

自動車規格

なし

ハロゲンフリー

TrenchFET®パワーMOSFET

100 %耐久性テスト済み

用途

ポータブルデバイス用負荷スイッチング

DC/DCコンバータ

ハロゲンフリー

TrenchFET®パワーMOSFET

100 %耐久性テスト済み

用途

ポータブルデバイス用負荷スイッチング

DC/DCコンバータ

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