Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 2.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥53,757.00

(税抜)

￥59,133.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫が表示されていない場合があります。ページの再読み込みをお試しください。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 12000￥17.919￥53,757
15000 - 27000￥17.802￥53,406
30000 - 72000￥17.501￥52,503
75000 - 147000￥17.199￥51,597
150000 +￥16.897￥50,691

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
146-4437
メーカー型番:
SI2302DDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

2.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.075Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

±8 V

最大許容損失Pd

0.86W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3.5nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

IEC 61249-2-21, RoHS

高さ

1.02mm

幅

1.4 mm

長さ

3.04mm

自動車規格

なし

ハロゲンフリー

TrenchFET®パワーMOSFET

100 %耐久性テスト済み

用途

ポータブルデバイス用負荷スイッチング

DC/DCコンバータ

関連ページ