Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 20 V, 2.5 A エンハンスメント型, 表面実装, 4-Pin パッケージMICRO、脚, SI8916EDB-T6-E1
- RS品番:
- 735-232
- メーカー型番:
- SI8916EDB-T6-E1
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
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|---|---|
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- RS品番:
- 735-232
- メーカー型番:
- SI8916EDB-T6-E1
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N チャネル | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | MICRO、脚 | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 75mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 0.77W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 0.13mm | |
| 長さ | 1.11mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N チャネル | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 MICRO、脚 | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 75mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 0.77W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 5.6nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 0.13mm | ||
長さ 1.11mm | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
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