Vishay Pチャンネル MOSFET12 V 16 A 表面実装 パッケージMICRO、脚 6 ピン

The Vishay Siliconix Si8483DB series TrenchFET dual N channel power MOSFET has drain to source voltage of 12 V. It is maximum power dissipation of 13 W and mainly used in load switch in portable devices.

Low voltage drop
Low power consumption
Increased battery life

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