Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 30 V, 162 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8S, SISS52DN-T1-BE3

N
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RS品番:
736-353
メーカー型番:
SISS52DN-T1-BE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N チャネル

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

162A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

SISS52DN

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8S

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00095Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

38nC

最大許容損失Pd

57W

最大ゲートソース電圧Vgs

16V

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

3.3mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

3.3mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
IL
Vishay NチャンネルMOSFETは、堅牢なスイッチング用途向けに設計されており、電源管理ソリューションに優れた効率と信頼性を提供します。

100 % R gおよびUISに対するテスト済みで、優れた信頼性を保証

材料適合分類により、環境安全性を向上

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