Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 80 V, 54.7 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8S, SISS30DN-T1-BE3

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RS品番:
736-352
メーカー型番:
SISS30DN-T1-BE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N チャネル

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

54.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8S

シリーズ

SISS30DN

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00825Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

57W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

26nC

動作温度 Max

150°C

幅

3.3mm

長さ

3.3mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
IL
Vishay NチャンネルMOSFETは、効率的な同期整流および電力変換用途向けに設計されています。過酷な環境でも優れた性能安定性を発揮します。

TrenchFET Gen IVテクノロジーにより電気効率を向上

非常に低いオン抵抗により、動作中のエネルギー損失を最小限に抑制

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