STMicroelectronics パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 650 V, 35 A N, 表面実装, 5-Pin パッケージPowerFlat HV, ST8L65N050DM9

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RS品番:
762-551
メーカー型番:
ST8L65N050DM9
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

35A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

PowerFlat HV

シリーズ

ST8L65N0

取付タイプ

表面実装

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

50mΩ

チャンネルモード

N

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

最大許容損失Pd

167W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

107nC

順方向電圧 Vf

1.6V

動作温度 Max

150°C

高さ

0.95mm

規格 / 承認

RoHS Compliant

幅

8.1 mm

長さ

8.1mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronics NチャンネルスーパージャンクションパワーMOSFETは、Advanced MDmesh M9スーパージャンクション技術に基づいた高効率電源デバイスです。低導電損失と高速スイッチングが重要な中高電圧用途向けに設計されています。

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