STMicroelectronics, Nチャンネル, 750 V, 25 A, 4ピン, パッケージ：PowerFLAT (5 x 6) HV
- RS品番:
- 275-1317
- メーカー型番:
- SGT65R65AL
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 275-1317
- メーカー型番:
- SGT65R65AL
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 750 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 25 A | |
| ピン数 | 4 | |
| パッケージ型式 | PowerFLAT (5 x 6) HV | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 750 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 25 A | ||
ピン数 4 | ||
パッケージ型式 PowerFLAT (5 x 6) HV | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
取付タイプ 表面 | ||
- COO（原産国）:
- CN
The STMicroelectronics e-mode powerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.
Very high switching speed
High power management capability
Extremely low capacitances
Kelvin source pad for optimum gate driving
Zero reverse recovery charge
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