STMicroelectronics MOSFETトランジスタ, Nチャンネル, 25 A, 表面実装, 4 ピン, SGT65R65AL

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RS品番:
275-1317
メーカー型番:
SGT65R65AL
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

25 A

最大ドレイン-ソース間電圧

750 V

パッケージタイプ

パワーフラット 5x6 HV

実装タイプ

表面実装

ピン数

4

チャンネルモード

エンハンスメント型

トランジスタ素材

GaN

1チップ当たりのエレメント数

1

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronics e-mode powerGaNトランジスタは、確立されたパッケージング技術を組み合わせた製品です。結果として得られたG-HEMTデバイスは、超低導電損失、高電流容量、超高速スイッチング動作を実現し、高電力密度と優れた効率性能を実現します。

非常に高いスイッチング速度
高電力管理機能
非常に低い静電容量
最適なゲートドライブのためのケルビンソースパッド
ゼロリバース回復充電

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