Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 99 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-WHTFN-9, IQE046N08LM5CGSCATMA1

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284-765
メーカー型番:
IQE046N08LM5CGSCATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

99A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

PG-WHTFN-9

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

9

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19nC

順方向電圧 Vf

1V

最大許容損失Pd

100W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS

自動車規格

なし

インフィニオンMOSFETは、OptiMOS 5パワートランジスタを備えており、要求の厳しい用途に合わせて高い効率と信頼性を発揮します。このNチャンネルMOSFETは、スイッチモード電源の性能を最適化することに焦点を当て、同期整流作業に優れています。高度な熱特性を備えた設計により、超低オン抵抗とともに優れた散熱を実現し、厳しい電気的要件下でも効果的に動作できます。このコンポーネントは、産業用途向けのJEDEC規格に準拠した幅広い検証を実現し、業務用ユーザーの安心感を確保します。このトランジスタは、産業用電源回路に最適で、堅牢なアバランチ等級を備えており、高ストレスシナリオでの耐性を確保し、明日の電源管理システムに適したスマートな選択肢となっています。

高性能SMPSに最適化

低電圧システム向けのロジックレベル制御

信頼性の高い100%アバランチテスト済み

ハロゲンフリー設計により、環境に対する責任を果たします

現代の基準に適した鉛フリーリードめっき

安全な使用のためのRoHS準拠

耐久性を高める優れた耐熱性

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