Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 205 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージWHTFN, IQE013N04LM6CGSCATMA1

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梱包形態
RS品番:
260-1077
メーカー型番:
IQE013N04LM6CGSCATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

205A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

IQE

パッケージ型式

WHTFN

取付タイプ

表面

ピン数

9

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1V

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon MOSFETは、サーマルパッドを介してソースポテンションを基板に接続することができます。これにより、熱性能の向上、高度な電力密度、レイアウトの可能性の向上など、さまざまな利点が得られます。また、アクティブ冷却要件の削減と、システムレベルでの利点となる熱管理の効果的なレイアウトも備えています。

最高の電力密度と性能を実現

優れた熱性能

レイアウトの可能性を最適化

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