STMicroelectronics パワーMOSFET, N チャネルチャンネル, 6 A 1200 V, 表面実装 強化モード, 3-Pin, ST2H8N120K5AG パッケージH2PAK-2

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RS品番:
814-401
メーカー型番:
ST2H8N120K5AG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

MDmesh K5

パッケージ型式

H2PAK-2

取付タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.65Ω

チャンネルモード

強化モード

最大許容損失Pd

165W

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

幅

10.98mm

規格 / 承認

RoHS

高さ

15.55mm

長さ

10.98mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFETは、要求の厳しい用途向けに信頼性の高い高電圧性能を発揮し、自動車環境で最適な効率と電力密度を実現します。

車載グレード、AEC-Q101認定により信頼性を向上

超低ゲート電荷と非常に低いメリット数で電力損失を低減

最大ドレイン-ソース電圧: 1200 V、最大ドレイン電流: 6 A

先進的なMDmesh K5技術により、優れた熱性能を発揮

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