Vishay シングルMOSFET, Nチャンネル, 80 V, 352 A, 0.00144 Ω, 93 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK （8x8LR）
- RS品番:
- 847-933
- メーカー型番:
- SQJQ580ER-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
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- RS品番:
- 847-933
- メーカー型番:
- SQJQ580ER-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | シングルMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 352A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | PowerPAK （8x8LR） | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.00144Ω | |
| チャンネルモード | 強化モード | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 12V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 最大許容損失Pd | 375W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 93nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 8mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS3 Compliant | |
| 幅 | 8mm | |
| 高さ | 1.6mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ シングルMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 352A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 PowerPAK （8x8LR） | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.00144Ω | ||
チャンネルモード 強化モード | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 12V | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
最大許容損失Pd 375W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 93nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 8mm | ||
規格 / 承認 RoHS3 Compliant | ||
幅 8mm | ||
高さ 1.6mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay自動車用NチャンネルパワーMOSFETは、さまざまな要求の厳しい用途向けに効率的な高性能スイッチングを実現し、過酷な条件下でも信頼性を確保します。
TrenchFET Gen Vテクノロジーにより、効率と性能を向上
車載用途向けのAEC-Q101認定により、業界標準への準拠を保証
標準条件下で352 Aの定格連続ドレイン電流
1.9 mmの薄型プロファイルにより、設計におけるスペース効率を最大化
RおよびUISに対して100 %テスト済みで、信頼性の高い動作を実現
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