Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 250 V, 20 A, 0.067 Ω, 25.3 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK
- RS品番:
- 851-504
- メーカー型番:
- SIR692DP-T1-BE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
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- RS品番:
- 851-504
- メーカー型番:
- SIR692DP-T1-BE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 20A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 250V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.067Ω | |
| チャンネルモード | N | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 25.3nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 104W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101 Qualified | |
| 高さ | 1.04mm | |
| 長さ | 6.05mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 20A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 250V | ||
パッケージ型式 PowerPAK | ||
シリーズ TrenchFET | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.067Ω | ||
チャンネルモード N | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 25.3nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 104W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 AEC-Q101 Qualified | ||
高さ 1.04mm | ||
長さ 6.05mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- DE
Vishayの高性能MOSFETは、さまざまな電子システムで効率的な電力管理を実現するように設計されており、スイッチング用途における信頼性と精度を保証します。
最適なRDS(on)、Qg、Qsw、Qossバランスを実現するThunderFETテクノロジーを採用
100 % RgおよびUISテスト済みで信頼性を向上
最大ドレインソース電圧250 Vをサポート
10 VのVGSで0.063 Ωの最小オン抵抗により、低電力損失を実現
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