STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, シングル, 600 V, 11 A, 360 mΩ, 3ピン, パッケージ:TO-220FP
- RS品番:
- 103-1999
- メーカー型番:
- STF13NM60N
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 103-1999
- メーカー型番:
- STF13NM60N
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 600 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 11 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 360 mΩ | |
| ピン数 | 3 | |
| パッケージ型式 | TO-220FP | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 高さ | 16.4 mm | |
| 長さ | 10.4 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 25 V, -25 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 25 W | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| シリーズ | MDmesh | |
| 幅 | 4.6 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 600 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 11 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 360 mΩ | ||
ピン数 3 | ||
パッケージ型式 TO-220FP | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
高さ 16.4 mm | ||
長さ 10.4 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 25 V, -25 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 25 W | ||
取付タイプ スルーホール | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
シリーズ MDmesh | ||
幅 4.6 mm | ||
N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
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