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詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	STMicroelectronics
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流	11 A
	最大ドレイン-ソース間電圧	600 V
	パッケージタイプ	TO-220FP
	シリーズ	MDmesh
	実装タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗	360 mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧	4V
	最低ゲートしきい値電圧	2V
	最大パワー消費	25 W
	トランジスタ構成	シングル
	最大ゲート-ソース間電圧	-25 V, +25 V
	標準ゲートチャージ @ Vgs	30 nC @ 10 V
	1チップ当たりのエレメント数	1
	幅	4.6mm
	長さ	10.4mm
	動作温度 Max	+150 °C
	トランジスタ素材	Si
	高さ	16.4mm

	すべて選択
	ブランド STMicroelectronics
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流 11 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 600 V
	パッケージタイプ TO-220FP
	シリーズ MDmesh
	実装タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗 360 mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧 4V
	最低ゲートしきい値電圧 2V
	最大パワー消費 25 W
	トランジスタ構成シングル
	最大ゲート-ソース間電圧 -25 V, +25 V
	標準ゲートチャージ @ Vgs 30 nC @ 10 V
	1チップ当たりのエレメント数 1
	幅 4.6mm
	長さ 10.4mm
	動作温度 Max +150 °C
	トランジスタ素材 Si
	高さ 16.4mm

TO-220FPパッケージのNチャンネル600 V、280 mΩ(標準)、11 A MDmesh IIパワーMOSFET

これらのデバイスは、第2世代のMDmesh技術を使用して開発されたNチャンネルパワーMOSFETです。これらの革新的なパワーMOSFETは、同社のストリップレイアウトに垂直構造を組み合わせて、世界で最も低いオン抵抗とゲート充電を実現しています。このため、最も要求の厳しい高効率コンバータに適しています。

すべての機能

100 %アバランシェテスト済み

低入力静電容量及びゲート充電

低ゲート入力抵抗

STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 11 A, スルーホール, 3 ピン, STF13NM60N

TO-220FPパッケージのNチャンネル600 V、280 mΩ(標準)、11 A MDmesh IIパワーMOSFET

すべての機能

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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