型番

STMicroelectronics FDmesh II パワーMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 10 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220FP, STF11NM60ND

RS品番:: 761-2745
メーカー型番:: STF11NM60ND
メーカー/ブランド名:: STMicroelectronics

STMicroelectronics FDmesh II パワーMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 10 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220FP, STF11NM60ND

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RS品番:: 761-2745
メーカー型番:: STF11NM60ND
メーカー/ブランド名:: STMicroelectronics

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	STMicroelectronics
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	FDmesh II パワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	10A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	600V
	パッケージ型式	TO-220FP
	シリーズ	FDmesh
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.45Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.3V
	最大許容損失Pd	90W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	30nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	±25 V
	動作温度 Max	150°C
	幅	4.6 mm
	規格 / 承認	No
	長さ	10.4mm
	高さ	16.4mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド STMicroelectronics
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ FDmesh II パワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 10A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V
	パッケージ型式 TO-220FP
	シリーズ FDmesh
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.45Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.3V
	最大許容損失Pd 90W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 30nC
	最大ゲートソース電圧Vgs ±25 V
	動作温度 Max 150°C
	幅 4.6 mm
	規格 / 承認 No
	長さ 10.4mm
	高さ 16.4mm
	自動車規格なし

STMicroelectronics FDmesh II パワーMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 10 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220FP, STF11NM60ND

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NチャンネルFDmesh™パワーMOSFET、STMicroelectronics

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics

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